聯電第三代半導體佈局報佳音 旗下聯穎Q3獲利大增5倍、傳產能爆滿擬擴產
聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來傳產能均維持滿載，第三季獲利更較第二季大增 5 倍，帶動營運轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。
聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元，其中第二季獲利約 4000 萬元，翻開聯電財報，前三季累計純益已達 1.88 億元，相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元，純益季增 5.23 倍，獲利能力大幅提升。
聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。
聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損，產能利用率也不佳，但業界傳出，去年下半年以來，晶圓代工市況轉佳，在客戶需求大增下，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉盈；不過，今年第一季因打消一批貨品認列虧損，導致營運再度轉虧。
市場也傳出，由於產能持續爆滿，加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求，聯穎光電擬辦理現增籌資，擴增產能，明年產能可望較今年翻倍成長。
聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。
聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。
今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。
此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。
聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。
公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月，目前座落於台灣新竹科學園區為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。
我們不僅擁有20年純熟矽基CMOS 六吋代工經驗 ; 身為聯電集團新投資事業群的一員,更承襲了聯電多年在代工產業的製程心得, 致力為砷化鎵微波及射頻積體電路服務產業另闢新氣象。
聯穎擁有最先端的砷化鎵製程技術，為全球積體電路設計公司及整合元件的製造廠提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大價值。
公司基本資料
| 統一編號 | 53170263 訂閱 |
| 公司狀況 | 核准設立 「查詢最新營業狀況請至 財政部稅務入口網 」 |
| 公司名稱 | 聯穎光電股份有限公司 Google搜尋 (出進口廠商英文名稱：WAVETEK MICROELECTRONICS CORPORATION) 「國貿局廠商英文名稱查詢(限經營出進口或買賣業務者)」 |
| 章程所訂外文公司名稱 | |
| 資本總額(元) | 2,400,000,000 |
| 實收資本額(元) | 1,846,448,800 |
| 每股金額(元) | 10 |
| 已發行股份總數(股) | 184,644,880 |
| 代表人姓名 | 賴明哲 |
| 公司所在地 | 新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓 電子地圖 |
| 登記機關 | 科技部新竹科學園區管理局 |
| 核准設立日期 | 099年10月18日 |
| 最後核准變更日期 | 110年11月09日 |
| 複數表決權特別股 | 無 |
| 對於特定事項具否決權特別股 | 無 |
| 特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利 無 | |
| 所營事業資料 | CC01080 電子零組件製造業 F401010 國際貿易業 CC01060 有線通信機械器材製造業 CC01070 無線通信機械器材製造業 研究、設計、開發、製造及銷售下列產品： (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率 電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A mplifier & pHEMT RF Switch Device) (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer) (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer) (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer） (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer） (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE MT Epiwafer) (7)積體電路 (8)各種半導體零組件 (9)積體電路測試與包裝 |
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