來揚科技- 來揚科技 打造首顆磁性記憶體

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來揚科技 打造首顆磁性記憶體
經濟部工業局表示，為搶占未來全球記憶體市場，國內記憶體設計大廠來揚科技，整合本身電路設計能力後，成功開發出台灣首顆商業化的磁性記憶體（MRAM）產品，大幅提升台灣在次世代記憶體產業市場的關鍵技術與競爭力。

工業局表示，傳統記憶體的製程技術已達物理極限，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。透過主力產業分團的專家協助與合作，將STT-MRAM元件整合至CMOS製程，以0.18um技術節點為初步目標，最終將進行0.11um技術節點產品目標。

工業局指出，來揚科技的磁性記憶體技術，能夠更快速跨入工業控制記憶體領域並落實產品規格，提升來揚科技於工控記憶體的市占率。未來將進一步應用至標準型靜態隨機存取記憶體（SRAM），與動態隨機存取記憶體市場（DRAM）。

為進一步布局巨資儲存應用靜態隨機存取記憶體的發展，來揚科技整合本身電路設計能力，開發出台灣首顆商業化的磁性記憶體（MRAM）產品。

工業局指出，來揚科技為全球前四大靜態隨機存取記憶體設計公司，產品主要應用於手持型產品、網路通訊、電腦周邊產品等消費性產品上，近年也跨入工業自動化、機器人、交通運輸及醫療等工業應用產品的市場開發。


來揚科技攜手主力分團 進軍次世代記憶體市場
傳統記憶體的製程技術已達物理極限，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。為搶占未來全球記憶體市場，國內知名的記憶體設計大廠-來揚科技，整合本身電路設計能力後，以開放宏觀的精神，進軍次世代記憶體市場。

來揚科技為全球前四大靜態隨機存取記憶體設計公司，產品主要應用於手持型產品、網路通訊、電腦週邊產品等消費性產品上，近年亦積極跨入工業自動化、機器人、交通運輸以及醫療等工業應用產品的市場開發。為進一步布局巨資儲存應用之靜態隨機存取記憶體(SRAM)的發展，來揚科技整合本身電路設計能力，成功開發出台灣首顆商業化的磁性記憶體(MRAM)產品，大幅提升台灣在次世代記憶體產業市場的關鍵技術與競爭力。

透過主力產業分團的專家協助與合作，將STT-MRAM元件整合至CMOS製程，以0.18um技術節點為初步目標，最終將進行0.11um技術節點產品目標，使來揚科技的磁性記憶體技術能夠更快速跨入工業控制記憶體領域並落實產品規格，大大提升來揚科技於工控記憶體的市占率。未來將進一步應用至標準型靜態隨機存取記憶體(SRAM)與動態隨機存取記憶體市場(DRAM)。

經濟部工業局主力產業分團將持續積極輔導國內記憶體相關業者，擴散應用系統跨領域服務的商機，在全球次世代記憶體的市場競比中，開創台灣記憶體產業的新藍海。


公司簡介
來揚科技股份有限公司( Lyontek Inc.) 的經營團隊有 20年以上積體電路設計經驗及生產技術， 致力於設計及生產品質符合客戶需要及應用廣泛之積體電路， 本公司產品主要應用於: 

手持型產品

網路通訊及電腦周邊產品

消費性產品

近半年來半導體成長率每年均高居不下， 各行各業對積體電路需求量不斷擴大，因此其對環境的影響日益顯著； 為符合環境保護的需求，本公司產品系列全部符合歐盟(RoHS)規範及SONY SS-00259綠色環保(Green Partner)之要求，並已量產出貨。

來揚科技專注於積體電路產業的產品開發及創新，非常期待與所有客戶共同合作，一起創造未來的新契機。

公司基本資料

統一編號 80588538 公司狀況 核准設立   (備註) 公司名稱 來揚科技股份有限公司  「工商憑證申請」 「工商憑證開卡」 「廠商英文名稱查詢(限經營出進口或買賣業務者)」  資本總額(元) 200,000,000 實收資本額(元) 120,000,000 代表人姓名 洪奇正 公司所在地 新竹科學工業園區新竹市工業東二路17號2樓     登記機關 科技部新竹科學工業園區管理局 核准設立日期 092年11月14日 最後核准變更日期 104年08月12日 所營事業資料 (新版所營事業代碼對照查詢) F601010  智慧財產權業 I301010  資訊軟體服務業 I501010  產品設計業 IZ99990  其他工商服務業 F401010  國際貿易業 CC01080  電子零組件製造業   研究、設計、開發、製造及銷售下列產品：   聲音功率放大器積體電路（Audio Amplifier IC）   高速(快速)靜態隨機存取記憶體積體電路（High speed SRAM IC）   低功耗靜態隨機存取記憶體積體電路（Low power SRAM IC）   記憶體智慧財產權（Memory IP）