攻第三代半導體 碇基散熱GaN電晶體獲驗證導入
台達電子（2308）公司碇基半導體布局第三代半導體有成，近期推出最新雙面散熱GaN（氮化鎵）場效電晶體，獨家通過DMTBT測試驗證，將導入台達電與威剛（3260）合作開發的鈦金級電源供應器。
碇基的雙面散熱GaN場效電晶體通過一系列嚴格的DMTBF測試，其專利雙面散熱結構能有效分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱導問題，在20萬小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，
碇基總經理邢泰剛表示，寬能隙半導體GaN元件的應用為電力電子帶來革命性突破，運用GaN優異的物理特性，能實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件，碇基將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件。
台達電電源及系統事業群總經理陳盈源指出，DMTBF測試結果證明碇基產品的可靠性及穩定性，可實現更高功率密度和更強大的節能效果。
碇基新產品易於實現頂部散熱應用，具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。此系列產品未來可望應用在伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進領域。
碇基專注於第三代半導體GaN技術開發，擁有15年以上專業經驗，在全球已累積超過200件專利，2022年辦理增資獲得力智電子（6719）、中美晶（5483）、日商羅姆半導體（Rohm）等大廠參與結盟。
碇基報喜 雙面散熱GaN通過測試
全球電源管理領導廠商台達子公司碇基半導體（Ancora Semiconductor Inc.），宣布最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，通過一系列嚴格的DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）測試。
此一測試，已驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020，其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱導問題，在20萬小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，突顯其產品的高信賴性與可靠度。
碇基的產品，已應用於台達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上。這次聯手台達及威剛，進一步滿足了客戶對高效能電源的需求，提供更可靠的解決方案。
碇基總經理邢泰剛博士表示，寬能隙半導體GaN元件的應用，為電力電子帶來了革命性的突破。運用GaN優異的物理特性，能夠實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020，碇基半導體將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件，以滿足不同的設計需求。
台達電源及系統事業群總經理陳盈源指出，DMTBF測試結果證明了碇基產品的可靠性和穩定性，可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。期待碇基推出更多產品，持續加速雙邊在高功率電源供應器的合作，為全球客戶提供更優質的產品和服務。
碇基這款產品，易於實現頂部散熱應用，同時具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。
此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。
此系列產品各項表現，更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進應用。碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗，全球已累積超過200件高價值專利。
多年來，與台積電、羅姆半導體（ROHM Co., Ltd）等業界領導公司緊密的合作，致力於為客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。
碇基半導體獲得力智、中美矽晶、日商羅姆半導體和台達電 共新台幣4.56 億元投資
全球電源管理領導廠商台達子公司碇基半導體，專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體，9月14日日宣布完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，在這次增資的同時，並與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，期能共同加速GaN功率半導體技術的發展。
碇基半導體總經理邢泰剛博士表示，「氮化鎵(GaN)可提供更高效率、更低功耗和優異節能優勢。圍繞GaN新技術的演進，相關生態系統正在不斷發展，新應用也不斷湧現，我們很高興能與力智uPI、中美矽晶SAS、羅姆Rohm等業界先進成為戰略合作夥伴，也感謝母公司台達持續在內部事業單位中孕育與碇基合作的可能性。這個組合將使我們能夠在材料、控制IC設計、應用和系統解決方案等面向，建構全面性的整合能力，並加速我們打造出具有更高競爭力的GaN技術應用。」
碇基的GaN解決方案包括領先行業的離散元件產品、系統封裝(SiP)和系統單晶片 (SoC) 組合，具有卓越的品質、可靠度和耐用性，已通過應用於母公司台達電源系統的嚴格檢驗。 碇基並將透過持續內部的系統優化與技術提升，俾使客戶得到最理想的服務。結合台達長期致力於提升電力電子核心技術以滿足全球電源市場需求的承諾，不但能協助碇基提高生產能力、為不斷增長的GaN市場迅速提供更完整服務，更將進一步加快消費電子、電信和汽車市場的先進技術和產品開發。這對碇基而言，將是成長的關鍵動力，也同時加速電源技術的創新，為實現永續發展做出實際貢獻。
關於碇基半導體
碇基半導體前身在世界電源大廠-台達電子下孵育多年，於2022年成立合資子公司。碇基半導體定位為專業氮化鎵設計公司，專注於新世代氮化鎵技術與解決方案，提供智能化高能效功率元件與功率模以協助客戶維持技術領先，期能為電力電子世界帶來改變。
公司簡介
碇基半導體(Ancora Semiconductors)前身在世界電源大廠-台達電子(Delta Electronics)研發中心下培育多年，以深厚的技術與人才為底蘊，十年磨一劍於2022年升級轉型成立合資子公司，透過創業把技術推向商業化，事業化。
碇基半導體核心團隊皆具備15年以上功率半導體專業經驗，在電力電子應用領域擁有非凡的創新技能，至今在全球累積超過200件高價值專利，我們穩扎穩打，以最高的品質標準要求產品輸出，並持續用創新的技術打破既有框架，整合產業鏈資源與夥伴，開發出業界領先之產品。
碇基半導體專注於實現更先進、更佳效率/性能等的能源半導體應用，提供客戶新世代氮化鎵技術與解決方案，幫助客戶維持技術領先，期能為電力電子世界帶來改變。
公司基本資料
| 統一編號 | 90328667 訂閱 |
| 公司狀況 | 核准設立 「查詢最新營業狀況請至 財政部稅務入口網 」 |
| 股權狀況 | 僑外資 |
| 公司名稱 | 碇基半導體股份有限公司 Google搜尋 (出進口廠商英文名稱：Ancora Semiconductors Inc.) 「國際貿易署廠商英文名稱查詢(限經營出進口或買賣業務者)」 |
| 章程所訂外文公司名稱 | Ancora Semiconductors Inc. |
| 公司屬性 | 閉鎖性 |
| 資本總額(元) | 700,000,000 |
| 實收資本額(元) | 552,000,000 |
| 每股金額(元) | 10 |
| 已發行股份總數(股) | 55,200,000 |
| 代表人姓名 | 劉亮甫 |
| 公司所在地 | 桃園市龜山區山鶯路252號(6樓) 電子地圖 |
| 登記機關 | 經濟部商業發展署 |
| 核准設立日期 | 111年07月29日 |
| 最後核准變更日期 | 112年07月25日 |
| 複數表決權特別股 | 無 |
| 對於特定事項具否決權特別股 | 無 |
| 特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利 無 | |
| 所營事業資料 | CC01080 電子零組件製造業 CD01030 汽車及其零件製造業 CD01040 機車及其零件製造業 CD01050 自行車及其零件製造業 F119010 電子材料批發業 F219010 電子材料零售業 I599990 其他設計業 ZZ99999 除許可業務外，得經營法令非禁止或限制之業務 |
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